Как я понял из обсуждений, площадки на переходных отверстиях с внутренних слоев можно убирать, а можно ли их убрать на нижнем слое, в случае если VIA соединяет верхний и внутренний слои?
Если убрать площадки на внешних слоях, то это приведет к некачественной металлизации стакана отверстия. Не будет требуемой по ГОСТ толщины меди в отверстии.
Поправлю, если убрать площадку переходного со слоя ТОР или ВОТ такой проект в работу не уйдёт, в зависимости от диаметра переходного, металлизации либо не будет совсем (получиться глухое отверстие запредельной глубины) либо металлизация будет не качественная (не на всю глубину стакана, частично, с раковинами или другими дефектами)
С точки зрения гальваники получается глухое отверстие с одной стороны закрытое крышкой из фоторезиста. А это проблемы доставания пузырька воздуха и проблемы прокачки растворов химии.
Проект такой сложности приходится делать впервые: ВЧ слой до 6ГГц, цифровые линии LVDS до 500МГЦ. Хочется исключить взаимное воздействие от соседних проводников в местах плотной трассировки (под BGA), потому и возник такой вопрос. duz, beetle, Спасибо за развернутые ответы.