При изготовлении 4х слойных ПП обязательны ли контактные площадки (КП / PAD) для выводных деталей на внутренних слоях, если эти выводы не подключены ни к одному из внутренних слоёв?
ВОПРОС N 1: Можно ли для плёночного конденсатора сделать так (диаметр вывода 0,6 мм max):
Диаметр отверстия 0,8 мм, тип - металлизированное КП на Top и Bottom +0,62 = итого OVAL 1,42x1,42 мм КП / PAD на Signal Layers = 0,8 мм (как у диаметра отверстия) - для внутренних слоёв. (PCAD 200x) Будет ли в этом случае гарантированное соединение по металлизации КП на Top и Bottom?
ВОПРОС N 2: обязательно ли делать другой / новый компонент, если потребуется соединение вывода без контактной площадки на внутреннем слое (особенно актуально для переходных отверстий)? Или можно просто сделать на внутреннем слое одним из способов:
дорожку с шириной, например, >+0,7 = итого >1,5 мм к этому выводу;
CuPour (полинон) в режиме "Direct Connect" (т.е. сплошная заливка, без термо - "мостиков").
Не подключённые площадки не обязательны, их можно удалять. Однако существует мнение, что они улучшают надёжность.
Нормы проектирования при этом не меняются, то есть, всё равно на внутреннем слое должно соблюдаться плавило: минимальный поясок (виртуальный)+минимальный зазор = расстояние от края отверстия до полигона. Площадка представляет собой "мишень" куда должно попасть сверло. Плюс расстояние (минимальный зазор) от края мишени до ближайшей топологии. Это правило должно выполняться по всем слоям, что естественно, так как сверло проходит их все.
При проектировании лучше делать всё максимально "правильно", а именно прорисовывать всё. Даже при "Direct Connect" оставляйте минимальную контактную площадку, пускай сидит в полигоне (зато вы всегда контролируете абзац выше). Это сильно упростит и Вам и нам как изготовление так и проверку DRC.
Аб Юрий написал: Вынужден повторить вопрос N1: допускается ли на внутреннем слое диаметр КП (PAD) равный диаметру отверстия?
Наверное понятнее будет так. Допускается удалить минимально возможную площадку на внутреннем слое. Именно удалить, вся топология должна быть разведена так, как будто она есть.
Александр Козырев написал: картинка для наглядности. Самое правое отверстие без площадки , но полигон ближе не подошёл.
Спасибо! С первый вопросом понятно - как вариант можно делать Polygon CutOut (принудительный вырез вокруг вывода элемента) на внутренних слоях, что автоматически создаст гарантированные зазоры до Cu Pour. (мне для этого будет достаточно скорректировать три - четыре выводных элемента в библиотеке и принудительно обновить их).
Вопрос N2 (также про внутренние слои 4ПП): на прототипе ПП поясок вокруг VIA 0,26 мм минимальный зазор от края КП (PAD) до полигона (Cu Pour) = 0,31 мм
Можно ли в следующей редакции платы сделать КП для VIA равным диаметру отверстия, задав в параметрах полигонов (Cu Pour) суммарный зазор : (0.26+0.31) = итого 0,57 мм
Будет ли нормальный контакт на внутренних слоях для тех VIA, которые подключены к полигону в режиме "Direct Connect" (т.е. сплошная заливка, без термобарьеров)?
На рисунке показано как сделано на ПП прототипа. Есть потребность увеличить зазоры за счёт убирания КП / PAD переходных отверстий При этом VIA с красным пояском должно остаться подключенным к полигону (Cu Pour).
Если я правильно понимаю вас. Да можно просто убрать (удалить) площадки на не подключённых отверстиях. Остальное оставив без изменений. Дополнительных проблем это не принесёт. Контакт без термобарьера тоже не проблема.
У нас в CAM350 есть даже функция такая "remove isolated pads"