Форум

Страницы: 1
RSS
попарное прессование
 
Здравствуйте!

Есть несколько вопросов по попарному прессованию.
1. На картинках видны переходные слепые отверстия в ядрах и сквозные отверстия.
  А возможны ли слепые между первым и четвертым слоем, например? Или это уже HiTech?
2. Согласно разделу новостей, нормы производства недавно улучшились. Как это
  отразилось на требованиях к МПП попарного прессования?
3. Согласно сообщению в форуме, в процессе импортозамещения получено новое
  оборудование, способное изготовить платы HiTech. Имеется в виду улучшение
  указанное в пункте 2 или что-то еще? Какие из технологических возможностей
  не могут быть реализованы и будут требовать отправки заказа за границу?

Заранее спасибо!
Царик Игорь
 
Здравствуйте.
1. Если Вы описываете ситуацию с 6-ти и более слоями, то да можно. Только уже не попарным прессованием, а сверлением на глубину. Здесь http://rezonit.ru/support/technology/urgent/index.php посмотрите условие по глубине сверления.
2. Никак, т.к. при этой технологии нарастает "лишняя" медь на поверхности проводников, ухудшая проектные нормы.
3. Сложно компактно ответить. Изменений много, хоть они и в мелочах. Например, мы начали захватывать 6 класс из ГОСТ Р 53429-2009. Получили возможность сверления на глубину. опять же)
 
Спасибо за ответ!

Есть еще вопрос по попарному прессованию. Если с внешнего слоя
нет слепых отверстий, а только сквозные, какая будет толщина меди
на этом слое и какой минимальный зазор между двумя полигонами?

Спасибо!
Царик Игорь
 
Будет толщина меди как у базового материала. + то что нарастет при гальваническом осаждении около 15мкм.
Тех возможности (зазоры, проводники) в зависимости от базы подробно расписаны ниже http://rezonit.ru/support/technology/urgent/index.php
Изменено: duz - 13/01/17 16:47:59
 
Спасибо, с толщиной меди все понятно.

А с зазором не очень. Давайте для примера рассмотрим 18 микрон в
стандартном варианте точности. Какой будет минимальный зазор между
полигонами и между полигоном и пояском переходного отверстия?
 
Для внешнего слоя в стандартном варианте точности 18мкм:
минимальный зазор между полигонами/проводниками - 0,125мм
Полигон площадка – 0,2мм
Страницы: 1
Читают тему